光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。