常壓的硅外延方法有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。