光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）