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問答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述PECVD技術(shù)的工藝原理、工藝特征及工藝應(yīng)用。
答案：
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問答題
【簡(jiǎn)答題】在雙極集成電路和MOS集成電路工藝中，為什么都要用外延層？
答案：
在雙極集成電路工藝中，采用高阻的外延層可提高集電結(jié)的擊穿電壓，而其低阻的襯底（或埋層）可降低集電極的串聯(lián)電阻。在MOS集...
問答題
【簡(jiǎn)答題】試對(duì)比分析擴(kuò)散工藝和離子注入工藝的特征和特點(diǎn)。
答案：
擴(kuò)散是高溫工藝，需要SiO2這樣的耐高溫硬掩膜，其擴(kuò)散形成的結(jié)深較深。擴(kuò)散是各向同性的，因此有較大...
