判斷題擴(kuò)散只用于淺結(jié)的制備
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2.單項(xiàng)選擇題離子注入與熱擴(kuò)散相比，哪個(gè)橫向效應(yīng)小（）
A. 離子注入
B. 熱擴(kuò)散
3.單項(xiàng)選擇題
二氧化硅膜能有效的對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（）
①雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
4.單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
5.名詞解釋歐姆接觸
最新試題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題