單項選擇題離子注入與熱擴散相比,哪個橫向效應小()
A. 離子注入
B. 熱擴散
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1.單項選擇題
二氧化硅膜能有效的對擴散雜質起掩蔽作用的基本條件有哪些()
①雜質在硅中的擴散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴散系數(shù)
②雜質在硅中的擴散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質在二氧化硅中的擴散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質在二氧化硅中的擴散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
2.單項選擇題在溫度相同的情況下,制備相同厚度的氧化層,分別用干氧,濕氧和水汽氧化,哪個需要的時間最長?()
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
3.名詞解釋歐姆接觸
4.問答題簡述電子束曝光的特點
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