刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）