化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。