進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

摻雜后，退火的目的是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）