消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。