光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。