光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）