摻雜后，退火的目的是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）