下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。