刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設備構成包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

摻雜后，退火的目的是（）。