進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

光刻工藝的特點包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

常壓的硅外延方法有（）。