IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）