注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

CMP的設備構成包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。