互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。