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單項(xiàng)選擇題

二氧化硅膜能有效的對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（）
①雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度

A.②④
B.①③
C.①④
D.②③

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單項(xiàng)選擇題

在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）

A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化

歐姆接觸

答案：當(dāng)金屬與半導(dǎo)體的接觸電阻小到可忽略不計(jì)時(shí)，稱為歐姆接觸。