鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

下列是晶體的是（）。 

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。