A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m；
B、同一墻體上測(cè)點(diǎn)數(shù)不宜多于1個(gè)，測(cè)點(diǎn)數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測(cè)或砌體抗剪強(qiáng)度檢測(cè)一同使用。
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A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
A、不離析
B、不泌水
C、強(qiáng)度高
D、施工性能好
A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強(qiáng)度
D、泌水
A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長(zhǎng)率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列是晶體的是（）。
PN結(jié)的基本特性是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
硅片拋光在原理上不可分為（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）