A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
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A、不離析
B、不泌水
C、強(qiáng)度高
D、施工性能好
A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強(qiáng)度
D、泌水
A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
A、塊體與砂漿的強(qiáng)度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
PN結(jié)的基本特性是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。