A、塊體與砂漿的強(qiáng)度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
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A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動現(xiàn)象時,應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.獨立磚柱
D.完整墻體中部
A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū),必須與設(shè)計協(xié)商
A.測區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個測點,對原位單磚雙剪法,在墻體兩面的測點數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測點之間,水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m,且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()