A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小
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A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動(dòng)試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動(dòng)現(xiàn)象時(shí),應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時(shí)應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.獨(dú)立磚柱
D.完整墻體中部
A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū),必須與設(shè)計(jì)協(xié)商
A.測區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個(gè)測點(diǎn),對(duì)原位單磚雙剪法,在墻體兩面的測點(diǎn)數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m,且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm
A.加荷時(shí)應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動(dòng)、千斤頂開始卸荷時(shí),應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值,并應(yīng)結(jié)束測試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面(灰縫)破壞,測試有效
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
硅片拋光在原理上不可分為()