A、屈服強度
B、極限抗拉強度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強度
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A、塊體與砂漿的強度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強度
B、低收縮
C、慢硬、晚強
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴禁擾動試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動現(xiàn)象時,應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C.獨立磚柱
D.完整墻體中部
A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū),必須與設(shè)計協(xié)商
最新試題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()