A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強度
D、泌水
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A、屈服強度
B、極限抗拉強度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強度
A、塊體與砂漿的強度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質量與灰縫的厚度
A、高強度
B、低收縮
C、慢硬、晚強
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴禁擾動試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動現(xiàn)象時,應舍去該試件
D.被推磚的承壓面應平整,不平時應用扁砂輪等工具磨平
A.門、窗洞口側邊120mm范圍內(nèi)
B.后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C.獨立磚柱
D.完整墻體中部
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污;⑤加入雜質量;
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
硅片拋光在原理上不可分為()