單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法,檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用()。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
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1.單項選擇題對既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時,一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于()個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
2.單項選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點數(shù)不少于()。
A.10
B.8
C.6
D.5
3.單項選擇題下列關(guān)于檢測單元、測區(qū)和測點的劃分錯誤的是()。
A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時,可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時,按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi),不宜少于6個測區(qū)
4.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)每一個檢測單元內(nèi),不宜少于()測區(qū),應(yīng)將單個構(gòu)件(單片墻、柱)作為一個測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
5.單項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測在調(diào)查階段下列哪項工作是錯誤的()。
A.在檢測完成后在收集工程建設(shè)時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題