A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時,可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時,按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi),不宜少于6個測區(qū)
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A.5
B.6
C.8
D.10
A.在檢測完成后在收集工程建設(shè)時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
A.12
B.10
C.8
D.16
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
可用作硅片的研磨材料是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。