單項(xiàng)選擇題砌體抗壓強(qiáng)度的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)不包括（）。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
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1.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個(gè)測(cè)點(diǎn)，每個(gè)測(cè)點(diǎn)連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點(diǎn)的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法不適用于以下磚砌體（）。
A.燒結(jié)普通磚
B.砌體多孔磚砌體
C.遭受火災(zāi)后的砌體
5.單項(xiàng)選擇題目前，在現(xiàn)場(chǎng)對(duì)砌體強(qiáng)度進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，以下哪種方法不適合（）。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題