如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列是晶體的是（）。 

PN結的基本特性是（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

可用作硅片的研磨材料是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）