單項選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
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1.單項選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個測點，每個測點連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
2.單項選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
3.單項選擇題砂漿回彈法不適用于以下磚砌體（）。
A.燒結普通磚
B.砌體多孔磚砌體
C.遭受火災后的砌體
4.單項選擇題目前，在現(xiàn)場對砌體強度進行檢測時，以下哪種方法不適合（）。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
5.單項選擇題砌體結構是指將由塊體和砂漿砌筑而成的（）作為建筑物主要受力構件的結構體系。
A.樁基
B.墻、柱
C.梁、板
D.墊層
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題