單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)每一個(gè)檢測單元內(nèi),不宜少于()測區(qū),應(yīng)將單個(gè)構(gòu)件(單片墻、柱)作為一個(gè)測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
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1.單項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測在調(diào)查階段下列哪項(xiàng)工作是錯(cuò)誤的()。
A.在檢測完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
2.單項(xiàng)選擇題砌體抗壓強(qiáng)度的現(xiàn)場檢測技術(shù)不包括()。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到()。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法砂漿為()個(gè)測點(diǎn),每個(gè)測點(diǎn)連續(xù)彈擊三次,讀取最后一次的回彈值作為該點(diǎn)的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為()。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
最新試題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項(xiàng)選擇題