A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
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A.10
B.8
C.6
D.5
A.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí)，可按樓層劃分檢測(cè)單元
B.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí)，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個(gè)檢測(cè)單元
D.每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi)，不宜少于6個(gè)測(cè)區(qū)
A.5
B.6
C.8
D.10
A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）