制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

硅片拋光在原理上不可分為（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）