影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；