雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

可用作硅片的研磨材料是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）