判斷題濺射是個(gè)化學(xué)過程,而非物理過程。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
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由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
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根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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