問(wèn)答題規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
2.問(wèn)答題比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
3.問(wèn)答題試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
5.問(wèn)答題集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
最新試題
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}