版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。