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問答題

【簡答題】什么是MOS器件的體效應(yīng)？

答案： MOS工藝中，N管襯底接最低電位，P管襯底接最高電位；但它們的源極卻未必與襯底電位相同，于是源襯存在電壓差，這個電壓差將...

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【簡答題】
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

答案：

【簡答題】試述MOS管溝道長度L和寬度W與閾值電壓的關(guān)系。

答案：當(dāng)MOS工藝發(fā)展到亞微米、深亞微米水平后，必須考慮二階效應(yīng)。這時，隨著溝道長度L的減小，閾值電壓將減?。浑S著溝道寬度W的...