目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

MOS器件存在哪些二階效應？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。