多項選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
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1.多項選擇題硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
2.多項選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
A.導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體
3.多項選擇題20世紀上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
A.真空管電子學
B.無線電通信
C.機械制表機
D.固體物理
4.多項選擇題晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
A.跨導(dǎo)
B.變阻器
C.導(dǎo)體
5.多項選擇題由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
A.微芯片
B.芯片
C.硅片
最新試題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？
題型：問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項選擇題
20世紀上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項選擇題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題