單項選擇題把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
A.晶體生長、硅錠
B.硅錠、晶體生長
C.晶體生長、晶胞
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1.單項選擇題在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
A.晶胞
B.晶長
C.晶塊
2.多項選擇題從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
A.碳加熱
B.生產(chǎn)三氯硅烷
C.西門子反應(yīng)
3.多項選擇題BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
A.CMOS
B.雙極技術(shù)
C.nMOS
4.多項選擇題MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）
5.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
最新試題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：問答題
什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？
題型：問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題
設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題