多項選擇題BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
A.CMOS
B.雙極技術(shù)
C.nMOS
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1.多項選擇題MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）
2.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
3.多項選擇題集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底的特定區(qū)域中
4.多項選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
5.多項選擇題硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
最新試題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：問答題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項選擇題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？
題型：問答題