單項(xiàng)選擇題由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱(chēng)為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲(chǔ)存電容
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1.多項(xiàng)選擇題集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底的特定區(qū)域中
2.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
3.多項(xiàng)選擇題硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
4.多項(xiàng)選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。
A.導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體
5.多項(xiàng)選擇題20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
A.真空管電子學(xué)
B.無(wú)線電通信
C.機(jī)械制表機(jī)
D.固體物理
最新試題
在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱(chēng)作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱(chēng)為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：?jiǎn)柎痤}