什么是MOS器件的體效應(yīng)？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？