集成電容主要有幾種結構？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。