試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。