鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。